2个好消息！事关光刻机的2个关键部件

近日，半导体领域一下传来两个好消息，首先中科院物理研究院国内第一台高能同步辐射光源设备问世。与此同时，国内自主研发的镜镀膜装置也结束了实验阶段，开始正式应用于生产。

可能大家不太了解这些技术会给中国带来怎样的影响，提到一个词，可能大家就会渐渐明白这些技术所蕴含的价值了，这个词就是“光刻机”。没错上面所提到的技术都是制造光刻机能应用到的重要技术，事关光刻机的2个关键部件。

提起光刻机，相信近些年来大家不会觉得陌生，虽然它离我们的生活很远，但总是能够在媒体上看见它的身影。光刻机可以说是现代科技的巅峰，世界各国顶级科学技术融汇而成的结晶。最重要的是，它是芯片制造行业不可缺失的设备。

此次高能同步辐射光源科研设备和镜镀膜装置的突破将中国在光刻机制造领域的研究进程先前推进了一大步。尤其是中科科仪研发的两款镜镀膜装置，更是在这一领域首次达到了世界较为的领先水平。在这一领域，最关键的技术一是镀膜手法，二是镀膜厚度。目前中科科仪的所生产并投入使用的这两款镜镀膜装置，采用的真空镀膜的手法，并且在在膜厚精度上已经达到了0.1nm（100皮米）。这对于中国来说是一个不小的进步，预示着中国离国产光刻机的到来又近了一步，也预示着中国能在不久的将来摆脱老美的芯片制裁。

因为当台积电在老美的威逼利诱下，停止了对华为的芯片代工后，包括麒麟、天罡、鲲鹏在内的华为自主研发芯片供应就被彻底切断了。不仅华为，国内的大部分手机厂商的芯片制造都离不开台积电的代工。目前在7nm以下的芯片制造方面，大陆的设备和技术还远远落后于台积电。因此国内7nm以下的芯片主要来源于台积电以及国外芯片制造企业的代工。

然而，强如台积电也不能在芯片制造过程中实现真正的独立自主，在一些核心的技术和设备上台积电也避免不了对于国外供应的依赖，这其中就用光刻机的供应。

要制造出7nm以下的顶级芯片，必须用到顶级的EUV光刻机。目前，EUV光刻机的制造被荷兰的ASML公司所垄断。然而即使是ASML公司也不能凭借一己之力完成对于EUV光刻机的制造，一台EUV的制造需要十几个国家的技术支持和几千家工厂的零件代工。因此，EUV光刻机也绝不是ASML自己的技术。

此次国内高能同步辐射光设备的成功研发，缩短了我国与EUV光刻机的距离。高能同步辐射光源，是目前世界范围内制程光源领域最先进的技术之一，可以满足芯片制程过程中对于光源的需求，这一技术的不断成熟，也为后期我国自主研发光刻机提供了坚实的基础。

国内投入使用的两款镜镀膜装置，使我国在光学镀膜领域向前迈进了一大步，其采用的真空镀膜技术将精准度控制在了0.1nm之内。光学镀膜就是指通过一定的工艺，在仪器的感光元件上镀上数层介质薄膜。目前在EUV光刻机的镜头制造方面，对这一工艺的要求是低于50皮米，这样看来，中国距离实现这一尖端技术已经越来越近了，相信在不久的将来，我国能在这一领域实现更大的突破。

中科科仪和中科院物理院的技术突破，将我国的光刻机研发进程向前推进了一大步，也让我们看到了国产光刻机到来的希望。事实上，除了中科科仪，国内目前众多企业开始投身于光刻机的研发事业。这些企业在不同领域，一项一项地攻克着光刻机制造的种种难关。此前，华为就为海思团队在武汉建造了一座芯片工厂，往后的几年间，海思团队将在这里进行芯片制造领域的研究，这其中就包含光刻机的研发与制造。

越来越多的国内企业投入到芯片行业的发展当中以后，这场针对老美技术封锁展开的斗争已经从华为的单打独斗，变成了所有企业的共同事业，如今我国在芯片领域的进步速度令全世界为之震撼，老美想要通过技术封锁限制中国科技发展的目的彻底落空了。