光刻技术公布后，麒麟9000S的“秘密”藏不住了？

麒麟9000S芯片的“神秘面纱”可以揭开了么？

美国的技术封锁曾经被视为中国芯片制造发展的巨大屏障，尤其是针对7nm和5nm等先进制程的芯片生产。近日，互联鱼注意到媒体披露的一项关于“自动对准四重图案化半导体装置的制作方法及半导体装置”专利技术公示了，可以说为这一困局撕开了突破口。

众所周知在半导体制造中，深紫外光刻技术（DUV）一般用于28nm及以上制程，而更先进的7nm及5nm工艺则需要借助极紫外光刻技术（EUV）。在EUV设备及先进DUV设备受限的情况下，要想实现7nm及5nm级别的芯片生产，似乎是一个难以逾越的屏障。然而如今可以从华为此次申请通过的自动对准四重曝光技术中窥探一二。

根据理论解析，四重曝光技术通过叠加多次曝光过程，利用现有的DUV设备实现了对芯片电路图形的精确构建，从而在不具备EUV设备的前提下，也可实现对高精度芯片的刻画。这意味着，美国企图通过限制高端光刻机出口来抑制中国半导体产业发展的如意算盘，已经逐渐被华为的创新技术击碎。

以麒麟9000S芯片为例，这款芯片的诞生本身就充满神秘色彩，具体工艺节点一直是业内热议的话题。无论是14nm还是7nm，华为都未曾公开过。但可以肯定的是，这颗芯片的性能已经得到了市场的认可，能够满足用户的日常需求。这背后是否就是四重曝光技术的功劳？我们不得而知。

但可以肯定的是，这项技术为华为提供了更多的自主选择和生产灵活性。而且现在看来，这款芯片的成功很可能是华为在四重曝光技术应用上的一次突破性尝试，并且对于我国芯片制造业来说是一个巨大的鼓舞。

随着华为四重曝光技术的公开，中国半导体产业的自主化进程再次向前迈进了坚实的一步。这意味着我们不再受限于国外的技术封锁，有能力按照自己的节奏和需求制造高端芯片，摆脱“受制于人”的困境。在这里，我们要为华为在困境中勇于突破、敢于创新的精神点赞。

把时间线再拉长一点来看，中国半导体产业链不断在创新技术的推动下，将加快自主研发的脚步，力争在不久的将来，无需依赖“外来技术”，也能自主制造出纯国产的7nm、5nm等先进制程芯片。

毕竟华为的成长历程经过证明，外部压力有时会催化内部创新，美国的制裁和封锁并没有遏制住我们的发展步伐，反而使中国企业在多个科技领域成长为令西方同行敬畏的强劲对手。正如英伟达在其列出的主要竞争对手中，华为赫然出现在四个关键领域的名单之中。

当然了，技术的研发需要时间，市场的接受度也需要过程。华为的自动对准四重图案化半导体装置的制作方法及半导体装置专利技术，虽然是一个重大突破，但要实现大规模商用，还需要经过严格的测试和不断地优化。

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