美方也没有料到，中国芯实现三大突破！外媒：势不可挡了

多年来，我们的芯片主要依赖进口，每年芯片的进口数量甚至超过了石油，芯片进口金额一度超过4000亿美元，原因就是国外的芯片先进，而我们的芯片差距还大。

但并不是我们不努力，西方的阻挠限制也是重要原因之一，尤其是近几年的美方芯片限制。如今，我们已经彻底觉醒，开始加速自主研发，促使中国芯突破加速了！

比如我们大陆技术最先进的中芯国际，自从建厂开始，就一直受到西方在设备等方面的限制。中芯国际能够走到今天，成长为全球第五的晶圆厂，经历了不少困难。

前些年，美方阻挠ASML向中芯国际出货EUV，去年开始又开始阻挠DUV光刻机。

即使如此，中芯国际也没有停止前进，不仅继续坚持研发，还连续投资1700亿元建了4个晶圆厂，加速提升我们的芯片产能，于是我们芯片进口的数量开始不断减少。

还有我们的民营企业华为，虽然面临美方实施的多轮制裁，高通、英特尔等断供5G等高端芯片，台积电停止代工麒麟芯片，陷入了无芯可用局面，但也没有因此妥协。

在三年制裁的艰难时期，华为继续加大研发投入，终于实现了自研麒麟芯片的回归。

由此可见，美方联合盟友发起的一系列限制封锁，根本阻挡不了中国芯的前进，反而激起了我们加速打造自主芯片产业链的决心，近期我们的芯片又实现了多个突破。

第一个是北京大学实现了二维晶体管方面突破。在这方面，台积电、三星、英特尔等巨头都已经研发多年，但至今还没有研制出能够媲美当前硅基晶体管的新产品。

然而，北京大学电子学院彭练矛教授、邱晨光研究员课题组，近日制备出10nm超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，其性能超过了英特尔商用10nm硅基鳍型晶体管。

该项技术的突破，意味着我们实现了全球迄今速度最快、能耗最低的二维晶体管。

要知道，芯片是现代科技发展的基石头，如今大数据、人工智能的发展都需要芯片来提供源源不断的动力，但目前的硅基晶体管是西方发明的，我们一直受制于人。

如今，硅基晶体管即将接近物理极限，我们实现二维晶体管突破，将会领先未来。

第二个是香港两个大学实现了微波光子芯片突破。近日，香港城市大学电机工程学系教授王骋与香港中文大学研究人员合作，开发出一款全球领先的微波光子芯片。

据相关介绍，该款芯片采用了铌酸锂微波光子学技术，实现了微波光子芯片的微型化、高讯号保真度和低延迟性能突破，能运用光学进行超快模拟电子信号处理和运算。

重点是，该款微波光子芯片比传统电子处理器速度快1000倍，耗能更低，应用更广。

第三个是上海光机所实现了光存储领域重大突破。上海光机所与上海理工大学等科研单位合作，在超大容量超分辨三维光存储研究中取得突破，做出了“超级光盘”。

存储是数字经济的基石之一，而光存储适合长期低成本存储海量数据，具有绿色节能、安全可靠、寿命长的独特优势。然而，传统商用光盘的最大容量仅在百GB量级。

这次“超级光盘”突破了10多年来的光存储研究领域的世界难题，完成了100层的多层记录，单盘等效容量达Pb量级。经老化加速测试，光盘介质寿命大于40年。

作为我国重要的存储材料与技术研究基地，上海光机所将大大促进我们光存储发展。

以上三方面的突破，只是我们科技领域进步的缩影。近年来，我们已经实现了很多方面赶超，像高铁、空间站、北斗导航、手撕钢、盾构机、激光雷达等数不胜数。

对此，有外媒直接表示，中国芯势不可挡了，美方近几年的芯片限制，不仅没有阻挡了中国芯的发展，反而促使我们坚定了突破决心，相信笑到最后的一定是我们！