你没看错！我国科研团队打算用DUVi实现3纳米制程，成本还更低

今年的CSTIC 2023大会在中国台湾省华邦电子的Frederick Chen的一篇文章中引起了广泛的关注。文章指出，来自中国大陆地区的科研团队正在考虑开发基于DUV光刻的5纳米工艺，甚至有望推进到3纳米工艺。这一信息引发了业界的热烈讨论，因为它涉及到半导体制程领域的一项重大技术突破。

文章首先提到了CSTIC（中国国际半导体技术大会）上的一个关键议题，即使用DUV光刻技术以及6层光罩来实现3纳米制程的可能性。这并不仅仅是理论探讨，还包括了技术细节、成本估算以及与EUV技术的对比。这意味着这个方案已经在技术层面上进行了深入研究，而且其成本竟然比使用EUV技术低30%。这一发现引发了对我国半导体技术实力的高度关注。

从公开消息来看，CSTIC 2023大会于6月26日-27日在上海国际会议中心举行，这表明中国在提出这一技术方案方面的时间线可能比外界所知还要早。这也意味着中国的科研团队已经付诸实践，有可能已经开始研发3纳米制程工艺，甚至在5纳米和4纳米工艺方面取得了重要进展。

对于这个技术方案的核心原理，文章进一步解析了DUV光刻技术和EUV光刻技术之间的关键差异。DUV设备的分辨率是38纳米，而EUV设备的分辨率则是13.5纳米。虽然理论上DUV技术最多只能做到19纳米水平，但这已经足够接近3纳米制程工艺的金属间距，因此表明DUV技术是可以用于实现3纳米制程工艺的。

文章还介绍了DUVi设备的实现手段，其中包括了自对准双重成像技术（SADP）和双重曝光技术（LELE）的结合，这一技术被称为“自对准双重曝光技术”（SALELE）。这是一种新技术，目前尚未有公开信息，但它的关键在于如何将SADP和LELE技术相结合，从而实现3纳米制程工艺。

文章还对工艺成本进行了详细的比较分析，包括了单次曝光（SE）、双重曝光（LELE）、三重曝光（LE3）和四重曝光（LE4）等不同工艺路线。根据台积电公布的信息，采用DUV技术的三纳米制程工艺比采用EUV技术的成本要低30%左右。这是因为DUV设备相对较低的功率需求和能源消耗，使其在成本方面具有明显优势。

然而，文章也指出，采用DUVi来实现3纳米制程工艺可能会面临工艺更加繁琐、良率降低以及生产周期延长等问题，这使得时间成本仍然处于劣势状态。另外，DUV技术在5纳米和3纳米制程工艺方面已经接近了极限，未来可能需要采用EUV设备来推进制程工艺升级。

最后，文章强调了中国半导体技术的发展潜力，指出中华民族在历史长河中一直处于领先地位。虽然麒麟9000S处理器与最先进的处理器仍有差距，但中国的发展速度常常比外国快，追赶技术领先不需要太长时间。这一发展态势表明，中国半导体产业有望在未来实现更高水平的制程工艺，包括5纳米和3纳米制程工艺的量产。

总之，CSTIC 2023大会上关于3纳米制程工艺的技术方案引发了广泛的讨论和期待。这一方案的提出和研究表明中国在半导体领域的实力不断增强，未来有望在全球半导体产业中发挥更重要的角色。