清华EUV光刻机技术取得重大突破，外媒惊呼速度如此快

近来媒体对清华大学所谓的EUV光刻机的研发成果进行了大量报道。

尽管这些报道可能夸大了事实，但在EUV光刻技术方面确实有了实质性的进步。

这可能会挑战像ASML这样的西方公司的主控地位，并有可能开辟一条新的前进道路。

现实情况是，清华大学还没有制造出完整的EUV光刻机。

相反，他们通过开发一个关键组件——光源做出了开创性的贡献，该光源被恰当地命名为SSMB（稳态微束加速器光源）。

领导研发的清华大学教授唐传祥明确表示：“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来的EUV光刻机光源。”

那么，为什么极紫外光刻技术如此重要呢？这对于将半导体工艺推进到5nm及以上至关重要。

台积电、英特尔和三星等前沿的半导体制造商依靠EUV光刻机大规模生产5nm和3nm节点的芯片。

虽然7nm工艺可以与DUV光刻机一起工作，但它们的性能欠佳，产量低，生产成本高。

目前，荷兰公司ASML在EUV光刻机方面处于垄断地位，该技术本身主要由欧洲和美国的实体控制。

ASML在该领域的主控地位源于这样一个事实，即EUV光刻技术最初是在美国合作开发的，然后转移到ASML进行制造。

这种历史联系迫使ASML遵守美国的约束，禁止他们向中国出售EUV光刻机。

由于这些地缘局势动态，ASML不太可能在不久的将来向中国出售EUV光刻机。

虽然他们可能会考虑提供较低层次的DUV光刻机，但高端的EUV机器仍然遥不可及。

因此，中国正在集结专家和资源开发自己的EUV光刻机。

创造一种全新的EUV光刻技术并不是一两家公司就能完成的任务。这需要众多中国行业参与者的共同努力。

现在，清华大学在EUV光源技术方面的开创性工作代表了中国在寻求建立自己的EUV光刻机方面迈出的重要一步。

这一发展标志着中国自主开发EUV光刻机取得了实质性进展。

EUV光刻机不仅仅与光源有关；它还包括光源控制、工作台和物镜系统等组件。

其中，光源的开发是最艰巨的挑战。毕竟，EUV光刻机的光源与其前身DUV光刻机完全不同。

但一旦解决了光源难题，其他光刻机组件的进展就会加快，因为这些其他方面与DUV光刻机有相似之处。

此前就曾传有国内研制成功28纳米光刻机。近来，一家国产手机品牌推出了一款采用国产芯片制造工艺制造的芯片。

这一证据表明，先进的国产光刻机几乎已经准备好投入生产，比预期提前6个月实现了这一里程碑。

这一进展强调了光刻机产业链的成熟，以及这些进步如何有助于加速EUV光刻机的发展。

2023年是国内光刻技术取得长足发展的一年，不断取得突破性进展。

这些成就彰显了中国在过去三年中对光刻机研发的坚定承诺。在如此短的时间内取得如此重大的突破。

强化了中国在芯片技术方面拥有丰富人才的观念——这是一股能够克服任何考验的力量，以提高其芯片能力。

随着中国芯片技术的进步，ASML对中国光刻机的立场一直在演变。

他们的立场已经转变，承认随着时间的推移，中国确实可以生产先进的光刻机。

采用国内先进芯片工艺的大规模生产验证了这些期望，促使ASML考虑向中国销售更先进的2000i光刻机。

这些发展给中国芯片产业上了重要的一课：加强自主研发的重要性。

一旦中国实现自主技术突破，欧美强加的壁垒往往会迅速消散。

这提醒我们，芯片技术的实质可靠性只能通过自主研发来实现。

您如何看待中国芯片技术的快速发展？欢迎在下面的评论区分享你的见解。