SiC MOSFET驱动电路设计（驱动开关篇）

碳化硅SiC MOSFET因其具有宽禁带、高开关频率,高开关速度、热稳定性好、热导率高等优点,提高了电力电子变换器的性能，同时它也使得设备体积小型化和轻便化。

SiC MOSFET由于其出色的高温特性和高击穿电压，特别适用于高温高压应用，如电动汽车、电力转换、太阳能逆变器以及航空航天领域。SiC MOSFET可以在高温下稳定工作，且能够处理高电压电流。

SiC MOSFET 驱动电路的设计一般重点体现其驱动电压和快速性上。

（SiC MOSFET驱动电路图）

1. 驱动电压：SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si MOSFET高，驱动电压一般为-5~+24V,然而，开启电压仅仅只有2.5V,只有电压达到18~20V这个区间才能使SiC MOSFET完全开通。

驱动电路需要提供足够的电压来确保SiC MOSFET能够充分导通和截止，因为较高的开通电压可以有效减小开通损耗。同时，驱动电路需要具备过压保护功能，为了避免过高的驱动电压对MOSFET器件造成损伤，导致寿命减短。

2. 快速性：一般来说，驱动电路需要采用高速驱动芯片，通过合理的设计，以减小电路中的电感和电容，从而提高响应速度。SiC MOSFET的开关速度非常快，在驱动电路中，需要用足够的响应速度来确保其快速导通和截止。

在这里顺便提下SiC MOSFET的关断情况：

开关关断时必须提供-5~-2V的负压加快关断速度,防止栅极振荡引起的误开通,增强抗扰能力。驱动回路要求寄生电感足够小以达到减少栅极振荡的作用。因此设计时选择+18V的正向驱动电压和-3V的反向关断电压。

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（部分资料源自网络整理）