突破技术边界！美光惊艳绕过EUV光刻

美光采用全球先进1β制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商和芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。这一工艺可以显著提高能效和存储密度。与其他竞争对手不同的是，美光选择了更复杂的设计方案，绕过了EUV工具，而采用了DUV光刻技术。美光的产品在成本上可能也更具优势。此外，美光还在LPDDR5X移动内存上率先应用了1β工艺和第二代HKMG工艺，实现了更高的速率。DRAM内存芯片是计算机和移动设备中关键的存储组件，能够临时存储和传输数据。随着科技的不断进步，人们对于DRAM内存芯片的性能要求也越来越高。因此，制造商们需要不断推出更先进的工艺来提高DRAM内存芯片的能效和存储密度。美光的1β制造工艺正是满足这一需求的一项重要突破。这项技术可以将DRAM内存芯片的能效提高约15％，存储密度提升35％以上。

这意味着在相同的芯片面积下，可以集成更多更快的半导体，从而提供更高的性能和更大的存储容量。与其他竞争对手不同的是，美光选择了绕过EUV工具，而采用了DUV光刻技术。EUV工具是一种新型的光刻技术