麒零8000S到底是7纳米还是14纳米？一切都因台积电玩坏了工艺命名

随着5G技术的逐步普及，手机市场上的5G手机也越来越多。然而，一则消息让人大吃一惊——国产5G手机的工艺只有14纳米？还是7纳米？这到底是怎么回事呢？原来，芯片工艺的命名规则不再是以往的栅极间距来认定了。在16纳米之前，芯片制造企业是以栅极间距来认定芯片工艺的，但这在逐渐达到极限后就不再可行了。因此，引入了FinFET技术，这种技术对芯片制造工艺进行了革新，通过绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍来辅助控制电流，加强了栅对勾到的控制，大幅降低了漏电现象，从而延续了芯片制造工艺的升级。

现在，芯片制造企业和芯片设计企业需要芯片制造工艺升级的营销噱头，这就让芯片工艺的命名变得混乱起来。目前全球最先进的三大芯片制造厂Intel、台积电、三星等对芯片工艺的命名都已出现混乱，导致Intel在14纳米工艺之后一直延迟10纳米、7纳米工艺的量产时间。但是，不同的芯片用途还是有不同的工艺标准。比如，高性能芯片可以通过FinFET技术来控制漏电等问题而进一步缩减栅极间距，而存储芯片则无法进一步缩短栅极间距，因此就采用更多层的设计来增加存储容量。

现在，存储芯片已经开发出300层以上的3D设计。到底芯片工艺的命名规则是否需要重新规定？这是一个值得探讨的问题。芯片制造工艺一直是半导体行业的重要领域之一。近年来，台积电、三星、Intel等巨头公司相继推出了10纳米及以下的工艺，但是，这些工艺的实际性能是否达到预期却备受质疑。国产麒零8000S芯片的工艺也引发了争议，有的人认为它是14纳米，有的人则认为它已达到了7纳米的晶体管密度。

而在这种背景下，中国芯片的崛起给我们带来了启示：提升芯片性能并不一定需要采用更先进的EUV光刻机来缩短栅极间距，开辟新的路径也是可行的，这对于一直难以获得EUV光刻机的中国芯片来说将是一条可行的道路。事实上，芯片工艺的提升是一个复杂的过程，它不仅涉及到硅片制备、光刻、刻蚀、沉积等多个环节，还与现有的设备和技术密切相关。因此，要想提升芯片的性能，需要从多个方面入手，而不是单纯地采用更先进的工艺。

比如，可以通过优化设计，提高芯片的能效比；可以通过新材料的应用，提升芯片的可靠性和耐用性；可以通过新工艺的引入，提高芯片的集成度和稳定性。总之，在芯片制造工艺的发展过程中，我们需要更加注重创新和实践，不断开拓新的道路，为芯片的升级换代打下坚实的基础。