接近三星5nm！麒麟9000S达到了什么水平？外媒：DUV光刻机极限

在一个充满期待的时刻，一款备受瞩目的智能手机——华为Mate60Pro系列突然现身，却没有预热、没有发布会、没有详细的硬件参数介绍。这一不寻常的发布方式引发了媒体和拆解机构的极大兴趣，因为他们渴望揭示这款手机的内部秘密，尤其是搭载的麒麟9000S芯片。

然而，要解开麒麟9000S的面纱并非易事。芯片逆向分析门槛颇高，一般玩家只能从标识和一些测试数据来猜测制造商，但要了解这颗芯片的制程、晶体管密度等细节，只能寄望于业内专业机构的拆解报告。

TechInsights此前的分析指出，麒麟9000S采用了7nm或等效7nm的制造工艺，而且确定了它产自大陆芯片厂。近期，TechInsights更进一步通过电子显微镜扫描结果揭示，麒麟9000S的晶体管密度达到了惊人的100MTR/mm²，即每平方毫米上有100万个晶体管。这一密度已经超越了台积电的N7P工艺。

关于制造工艺，中芯国际已经推出了N+1工艺和N+2工艺，尽管外界一直猜测麒麟9000S可能采用的是N+2工艺。此外，TechInsights的分析还排除了EUV工艺的可能性，因为EUV光刻机与DUV光刻机在制程上有明显的不同。

但是，没有EUV光刻机，如何实现与三星5nm相媲美、超越台积电DUV 7nm的工艺水平呢？这里需要了解ASML光刻机的分类，采用193nm波长的光源，通过多次曝光后可以实现7nm工艺芯片的量产，即便没有EUV光刻机也能成功完成。

不过，我们拥有全球最大的芯片市场，也正在成为芯片产能最大的国家，有着众多勇敢的科研人员和充足的科研经费。因此，国产芯片的未来充满了希望。对于这一局势，不同人有不同看法，但我们共同期待着中国芯片产业的蓬勃发展。