一位北大天才在美国攻克1nm芯片技术，引发了国人的热议

近日，一则令人震惊的消息传遍了科技界，一位北大毕业的博士朱佳迪带领麻省理工团队，利用原子级芯片技术，突破了常温原子晶体管的2D材料制作，将美国的芯片制程推进到1nm，引领半导体科技的巅峰。这是一个了不起的成就，也是一个极具争议的话题。朱佳迪的祖国是中国，他曾经在北京大学学习化学，并获得了学士学位。后来他去了斯坦福大学深造，并在2002年获得了博士学位。从那以后，他就留在了美国，成为了MIT的教授和电子研究实验室的学术带头人。他的研究兴趣集中在将单个碳纳米管的合成和制造结合起来，并将其集成到电路中的相关问题。

朱佳迪的最新研究成果是使用一种半金属，即铋元素（Bi），来代替普通金属与单层材料连接。这种超薄单层材料，在这种情况下是二硫化钼，被认为是绕过硅基晶体管技术现在遇到的小型化限制的主要竞争者。金属和半导体材料（包括这些单层半导体）之间的界面产生了一种叫做金属诱导的间隙 (MIGS)状态现象，这导致了肖特基屏障的形成，这种现象抑制了电荷载体的流动。使用一种半金属，其电子特性介于金属和半导体之间，再加上两种材料之间适当的能量排列，结果是消除了这个问题。研究人员通过这项技术，展示了具有非凡性能的微型化晶体管，满足了未来晶体管和微芯片技术路线图的要求。

这项研究是MIT、台大、台积电共同合力的成果。自2019年，这三个机构便展开了长达1年半的跨国合作。这个重大突破先由孔静教授领导的MIT团队发现，在二维材料上搭配半金属铋（Bi）的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流。台积电技术研究部门则将铋（Bi）沉积制程进行优化。最后，台大团队运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸，终于获得突破性的研究成果。

这项研究一经公布，就引发了国人的热议。有些人支持朱佳迪在国外更好的科研环境下研究出对人类有意义的东西。他们认为科学无国界，朱佳迪是一个优秀的科学家，他的成就应该得到尊重和赞扬。他们还指出，朱佳迪的研究并不是完全为美国服务，而是有台湾的参与，这也是一种对中国的贡献。他们希望朱佳迪能够继续发挥他的才华，为科技进步做出更多的贡献 。

但是，也有其他人怒喷朱佳迪，认为他是一个卖国贼，一个叛徒，一个汉奸。他们认为生养他的祖国培养大了他，可是他现在却不想着报效祖国，反而帮助祖国的敌人。他们认为朱佳迪的研究是在助长美国的霸权主义，是在给中国制造难题，是在背叛中国人民的利益。他们要求朱佳迪立即回国，向中国人民道歉，并将他的研究成果无偿交给中国 。

这件事情引起了很多人的关注和讨论，也反映了中国人对于人才外流和科技竞争的不同看法和态度。有些人认为科学家应该有自由选择自己工作和生活的权利，有些人认为科学家应该有忠于自己祖国和民族的责任。这是一个没有标准答案的问题，也是一个需要深入思考和理性对话的问题。我们希望通过本文，能够为大家提供一些信息和观点，帮助大家理清头绪，形成自己的判断和看法。