23种芯片设备遭断供，国产芯片或退至90纳米，ASML不装了！

早已是全球半导体产业焦点的国产芯片制造，再次陷入了一场风云变幻的战争。美国先前强制要求ASML向中国断供EUV光刻机，并延伸至14纳米以下的其他芯片设备。然而，这似乎并未满足他们的野心，如今美国正计划进一步扩大断供规模，要求ASML甚至在DUV光刻机上也停止供应，同时要求日本也加入断供行列，限制多达23种芯片制造设备的出口。

有些悲观者担心，国产芯片的工艺水平可能会倒退到90纳米，因为国内已经实现量产的国产光刻机被标榜为支持90纳米工艺。然而，要认为国产芯片必然退步到90纳米，却过于简单。实际情况复杂多样，有几个主要原因支持着我们不必如此悲观。

首先，国产光刻机的实力毋庸置疑。所谓90纳米光刻机并不是指机器本身限制在90纳米，而是能够通过单次曝光制造90纳米工艺芯片。然而，如果采取多次曝光的方式，这些光刻机同样能够制造65纳米的芯片。此外，中科院早在多年前就已研发出超分辨技术的光刻机，通过多次曝光甚至能支持到10纳米。尽管生产速度较慢，不适合商业大规模量产，但在科研、军事等领域满足需求还是绰绰有余的。

第三，我们已经接近破局的边缘。国产光刻机在DUV光刻机领域分为三个类型，从低到高分别是KRF、ARF和ARFi，而我们已经在即将突破最高端的ARFi型DUV光刻机。这类型的光刻机最大分辨率达到38纳米，量产后可以直接制造28纳米芯片，通过多重曝光更能生产14纳米芯片。尽管具体量产时间尚未确定，但已可预见，这一时刻不会太远。

面对危机，我们早已做好了准备。在迎接挑战的道路上，我们已脚踏实地，勇往直前。国产芯片行业的辉煌时刻即将绽放，让我们共同期待这个不可逆转的趋势，为科技进步带来更广阔的未来。