美光推出HBM3 Gen2：24GB容量，带宽超1.2TB/s，每瓦性能为前代产品2.5倍

美光宣布，推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。

美光表示，HBM3 Gen2产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能（AI）数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光HBM3 Gen2解决方案的基础是其1β（1-beta）工艺，在行业标准封装尺寸内将24GB DRAM芯片组成了8层垂直堆叠的立方体。

此外，美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB DRAM芯片，与现有的竞争解决方案相比，在给定的堆栈高度下，美光提供的容量增加了50%。美光在技术方面的进步，让能效提升成为可能，硅通孔（TSV）技术增加了一倍，金属密度增加了五倍，从而降低了热阻抗，以及节能的数据路径设计，因此能效得以提高。

根据美光公布的最新技术路线图，2026年的“HBMNext”将进一步提高容量，可达到36GB至64GB，带宽也会提升至超过1.5TB/s至2+TB/s。此外，美光明年也会带来GDDR7，容量为16Gb至24Gb，每个数据I/O接口的速率为32Gbps，与三星近期推出的首款GDDR7基本一致。