国产芯片“炸裂性”突破，技术全球领先，美国院士：这太疯狂了！

我们都知道，早在美国打压中国芯片企业之际，早在美国禁止荷兰自由出货之后，我国就投入巨额资金支持中科院研发光刻机技术，那么现在中科院究竟研发的怎么样了呢？

我国在光刻机领域究竟与国外还有多大差距呢？根据最近官方公布的好消息，我国在光刻机领域已经取得重大突破，就连国外媒体都称中国速度实在太快了，那么到底是怎么一回事呢？接下来让我们一探究竟。

近期，中科院突破5nm光刻技术的好消息，震惊全球，不仅如此，此光刻机技术将有利于我们打造国产VCSEL光学芯片，这款芯片也将有助于我们打破欧美技术封锁和垄断，所谓国产VCSEL光学芯片，就是一种广泛用于激光指示、激光扫描、血氧传感、烟雾探测等领域的芯片产品。

以前我们总是要从国外进口，但是现在我们可以自己打造，就意味着我们投入的资金终于迎来了成果，而且这还不是最重要的，最重要的是，中科院突破的光刻机技术是全球领先的，为什么要这么说呢？

我们都知道，市场上主流的芯片产品，其生产模式都是光刻技术和极紫光刻技术，极紫光刻技术可以生产3nm，甚至是2nm的先进制程芯片产品，可是为什么要说中科院突破的5nm光刻技术领先全球呢？

因为这是一项比单纯的光刻技术难度还要更大的技术，是由中科院张子阳团队研发的5nm制程无掩模光刻技术，所谓的无掩模光刻技术，是被广泛用于构造分辨率较低的基板，例如在PCB面板生产中，无掩模光刻的主要形式是电子束和光学，也就是所谓的电子束光刻技术，可以说在电子束光刻技术领域，中科院此次的突破是领先全球的。

无掩模光刻技术，不同于传统的光刻技术，传统光刻机技术在大批量生产中使用它之前存在一些障碍，相反无掩模技术，却可以做到开发和处理大数据量（Tb级）的能力，可以说这是一项有利于大批量生产的核心科技。那么这样的突破究竟有什么意义呢？

实际上，中科院在无掩模光刻技术上的突破，让我们有了更好的精度，从而可以满足5nm芯片的要求，可以说这是一项突破瓶颈的技术，现在有了这项技术，下一步就是进入一些工程化阶段，而工程研发就意味着我们可以实现量产的突破，这也将有助于我国芯片产量变得越来越高，所以现在比拼的不仅仅是技术，而且还有批量生产的速度，只有这样才能让芯片产业更好的发展。

除此之外，还有一个振奋人心的好消息，那就是上海微电子这家公司，在国产光刻机上再次取得重大突破，前不久我们刚刚听说量产28nm光刻机的好消息，现在又迎来了上海微电子在22nm光刻机上的突破，据知情人士透露，上海微电子已经研发出22nm光刻机和一款雕刻机的研制，这将有助于我们成功打破国外技术封锁和垄断。

同时也给了国内芯片企业巨大的希望，因为只要有了22nm光刻机，理论上就可以经过多次曝光，将芯片制程进一步缩小，而且更加重要的是，还可以通过堆叠工艺打造出更加高端的芯片产品，不得不说，实在是无比振奋人心，也难怪外媒称中国突破的速度实在太快了。

来自美国的一位院士表示，中国科学家难道都不睡觉的吗？他们怎么能在短时间内就取得如此成就，要知道，从我国决定自主研发光刻机技术开始，至今只过了短短三年的时间而已，而荷兰的核心光刻机技术可是花了几十年的时间才研发成功，虽说中国在光刻机领域还不如荷兰，但是中国在研发的速度上绝对可以吊打所有国家，不得不说，这才是真正的中国速度。

不仅如此，中国成功突破22nm光刻机的消息，也传到俄罗斯，俄罗斯一度表示，这也让他们看到了在芯片领域发展的可能性，如今中美之间的芯片技术虽然存在差距，但是有一点不可否认的就是，中国在芯片领域的技术是最全面的，甚至比美国还要更加全面，因为中国不仅在传统芯片技术方面，正在追赶美国和欧洲，同时在量子芯片方面以及碳基芯片方面，也取得重大突破和进展，甚至可以说已经做到了领先全球，如今中科院以及上海微电子，又在国产光刻机技术上再次取得重大突破，不得不说，如此速度何愁大事不成，何愁中国不能成为芯片强国。

本文转载自科技头版V