AMD公布锐龙7040U处理器规格，NEO宣布3D堆叠DRAM内存技术

AMD公布锐龙7040U处理器规格：

经过多次推迟之后，AMD宣布搭载锐龙7040HS处理器的笔记本电脑将在未来几周内开始发货。

此外AMD还公开了锐龙7040U处理器的规格。四款锐龙7040U处理器采用15-30W TDP，集成RDNA3架构的Radeon 700M系列核显。

其中锐龙7 7840U和锐龙5 7640U配备有XDNA Ryzen AI引擎。

XDNA将带来一些神奇的新体验。目前已知的Ryzen AI引擎应用是Windows Studio Effects，主要面向视频会议场景，提供包括背景虚化、自动追踪演讲人并调整画面构图和Eye contact功能。

性能方面，AMD将8核心16线程的锐龙7 7840U与12核心16线程的酷睿i7-1360P进行了对比：内容创建性能比对方高29%，网络应用性能高37%，生产力性能高39%，PassMark跑分高89%，媒体编码性能高128%。

AMD还对照了配备苹果M2处理器的13寸MacBook Pro，锐龙7 7840U在网络浏览性能方面比对方高5%，图像编辑性能高8%，3D渲染性能高9%，响应速度高14%，多任务处理高72%，PassMark 10评分高75%。

锐龙7040U的核显频率和锐龙7040HS保持一致，Radeon 780M频率为2.7GHz，Radeon 760M频率为2.6GHz，Radeon 740M频率为2.5GHz。AMD将Radeon 780M同酷睿i7-1360P的Iris Xe核显进行了对比，在1080P低画质下AMD在10款游戏中的领先优势从30%到139%不等。

3D堆叠DRAM内存：

大家对3D堆叠技术应该不会陌生，3D NAND闪存让大容量SSD变成了白菜价。今天为大家带来的则是3D堆叠DRAM技术的新消息。

2D NAND闪存发展到15纳米后遇到瓶颈并转入3D时代。DRAM内存其实也面临很大的压力，在10nm级别已经发展了1x、1y、1z、1α、1β、1γ多代工艺。DRAM内存终究会像NAND闪存一样需要通过3D堆叠来实现突破。这次提出3D X-DRAM技术的NEO Semiconductor之前也提出过有黑科技之称的3D X-NAND技术（号称能够让QLC闪存具备SLC闪存的性能并大幅提升4K随机读取性能）。

NEO Semiconductor提出的3D X-DRAM使用类似于3D NAND的单元阵列，在制造工艺上也和3D NAND闪存类似。

NEO估计3D X-DRAM可以在230层堆叠下实现128Gb容量，存储密度是当前DRAM产品的8倍，并让日益趋缓的DRAM密度增长曲线重新陡峭起来。NEO认为3D X-DRAM可以搭上ChatGPT的快车，满足AI等应用对大容量高性能存储的需求。

作为一家初创公司，NEO没有晶圆厂可将3D X-DRAM技术直接用于实际生产，它将寻求把技术授权给现有的DRAM制造商。不过当前DRAM内存市场正面临严重的供过于求，各家厂商都不得不严控支出，恐怕NEO短期内不太容易找到愿意出资购买其专利授权的内存制造商。