中国科研团队取得半导体领域关键进展，外媒：结局清晰了

不久前，国内再次传来新消息，中国科研团队取得半导体关键进展，秀出了“中国芯”的强大实力，外媒表示：中美科技战的结局越来越清晰了！

2023年3月13日，西安邮电大学的陈海峰教授团队，在经过多次实验之后，成功在8英寸的硅片上制备出氧化镓外延片，并拥有不低的性能质量。

要知道，氧化镓是业界公认的第四代半导体材料，在超宽禁带半导体上有着良好的使用效果，而西安邮电大学的成功使得我国在第四代半导体材料上的研发更进一步。

根据业内人士介绍，氧化镓在“性能好、损耗低”的需求市场上有着巨大的发展潜力，而将这种材料从2英寸、4英寸、6英寸的硅片基础上提升到8英寸，能够有效提升材质的产能。

不仅如此，氧化镓和前三代半导体材料不同，拥有更好的耐高压性和日盲紫外光响应能力，未来在功率器件和光电领域的应用潜力巨大。

最重要的是氧化镓能够与硅电路直接接触、集成，得到的效果将会使得集成电路的成本骤降，同时还拥有优异的散热能力。

当然，在氧化镓材料上，中国电科46所在上个月成功研制出国内首颗6英寸氧化镓晶圆，达到了世界前列水平。

中国电科46所的6英寸氧化镓晶圆拥有大尺寸、多晶面、低缺陷和高掺杂的优势，而西安邮电大学的成品则是建立于中国电科46所的基础上升级的结果。

仅用1个月左右的时间，得到升级的成果，或许意味着我国在氧化镓领域上的研发已经达到了世界领先水准。

同时也象征着我国半导体领域面对白宫的多次限制之后，得到的研发成果，在告诉拜登政府：封锁失效了！

除了氧化镓的研发阶段得到突破之外，第二代半导体材料和第三代半导体材料也得到了一定程度的突破，在半导体领域得到了更广泛的应用。

拿第三代半导体材料氮化镓来说，由于原子键强、热导率高的特性，此前使用概率较高的一般都是PC电源、服务器电源、笔记本适配器、手机充电器、车充、户外电源等领域。

但基于研发团队的探索，发现氮化镓在射频领域也有着强大的用途，尤其是在5G基站中可以承担射频放大器的效果，也算是应用物理中的一大突破。

而第二代半导体材料砷化镓和锑化铟有一个特点，那就是电子迁移率比硅高6倍，因此主要应用领域就是超高速、超高频器件。

比如说在遥控、手机、CD、MD以及DVD等工业领域，随着继续开发，砷化镓更是被普遍运用在了军事领域，如今已经成为激光制导导弹的重要材料。

由此可见，第二代半导体材料和第三代半导体材料通过开发，或许还有更加丰富的应用环境，而第四代半导体材料氧化镓虽说如今问世不久，但相信后续也将带来出色的成绩。

除了半导体材料之外，我国光子芯片、量子芯片、半导体设备均陆续突破，相信不久后必然将带来越来越强大的成绩。

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