重磅！英特尔已完成1.8纳米工艺研发，2纳米工艺将于2024年商用

这些年来，英特尔一直因为芯片制造工艺大幅度落后于台积电和三星，处理器制程落后于竞争对手AMD，而饱受业界和广大数码爱好者的质疑和嘲讽，处境非常尴尬被动，虽然英特尔这些年一直在卧薪尝胆，积极追赶，但是貌似收效甚微。

近日，对于这个问题坊间有一个非常重磅、振奋人心的好消息，那就是英特尔在芯片制程方面的研发取得了重大突破。

近期坊间有消息称，目前英特尔方面已经完成了代号为Intel 20A（2纳米级）和Intel 18A（1.8纳米）芯片制造工艺的研发。

据悉，英特尔的Intel 20A制造工艺依赖于栅极全能RibbonFET晶体管，使用背面供电，该工艺可以缩小金属间距，这是一项重大的创新，但具有一定的风险。

Intel 18A制造工艺将在Intel 20A工艺的基础上，采用该公司的RibbonFET和PowerVia技术进行进一步完善，并进一步地缩小晶体管尺寸。

英特尔最初计划在其1.8埃节点上使用ASML 0.55数值孔径(NA)光学器件的Twinscan EXE型光刻机，但后来英特尔觉得这个方案过于保守，决定加快进度，将采用现有的具有0.33 NA光学器件的Twinscan NXE扫描仪，以及EUV双模式。

预计英特尔将在2024年上半年开始商用Intel 20A工艺，此举有望在2024年让英特尔一举追平甚至超越其在该领域的竞争对手台积电和三星。

——有些朋友可能会质疑这个消息的来源和可信度，这个消息是英特尔中国区总裁兼董事长王锐在一次活动中所透露的，因此其可信度很高。

需要强调的是，目前这两项新工艺节点尚处于早期研发阶段，离真正可以用于大规模商业量产还非常遥远，一旦完善成熟之后，这两项工艺将用于制造自家未来的处理器，以及对外提供的芯片代工制造服务。

关于提升芯片制造工艺，另外一个可以作为参考的消息是，英特尔首席执行官吉尔辛格在最近在与分析师和投资者的电话会议上表示：

“我们目前与10家最大的代工客户中的7家保持着积极的合作关系，而且合作伙伴还将持续增加，包括43家潜在客户和生态系统的合作伙伴的测试芯片。

此外，我们继续在Intel 18A工艺上取得进展，并已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5(工艺设计工具包)的工程版本，预计将在未来几周内发布最终的生产版本。”

总体来说，这个消息的可信度非常高，如果真的兑现了，英特尔在芯片制造工艺方面大幅落后竞争对手的这一局面将不复存在，彻底逆袭翻身了，此后AMD的压力也会进一步加大。

注：本消息目前尚未得到完全证实，仍然存在一些疑点和不确定因素，仅供参考。