英特尔加入3nm工艺战局 计划2023年底推出

《科创板日报》1月18日讯（编辑 邱思雨）据海外媒体Hardware Times报道，在接受日本媒体IT Media采访时，英特尔日本负责人透露，英特尔计划于2023年底推出3nm（Intel 3）工艺节点。第5代Xeon Emerald Rapids-SP将采用Intel 3工艺制造。

此外，英特尔还计划于未来几个月内大规模生产其4nm（Intel 4）节点。英特尔日本负责人进一步指出，随着Alder和Raptor Lake的7nm（Intel 7）节点问世，Meteor Lake的4nm晶圆已经量产。Intel 4工艺将带来20%的每瓦性能提升，并采用EUV光刻技术以获得更好的良率和密度。

此前，3nm工艺领域的主要玩家只有两位——台积电和三星。随着英特尔的加入，3nm制程的市场竞争格局逐渐扑朔迷离。

台积电于2022年下半年宣布了量产3nm芯片，但其3nm工艺的推广进程并非一帆风顺。据台湾电子时报12月30日报道，台积电3nm代工价突破2万美元，目前客户接受度较低，只有苹果为其“忠实粉丝”，高通则选择了分流订单——行销长Don McGuire透露，进入GAA工艺后，高通或将采用苹果、三星双供应商策略。海外媒体Tom's hardware近日报道指出，为刺激客户采用，台积电考虑降低其3nm制程系列的报价。

而三星的3nm制程此前备受“良率低下”所扰，Business Next采访的半导体行业分析师和专家表示，台积电N3良率最高可达75%至80%，而三星代工厂的3GAE良率在早期阶段仅10%到20%。但据韩国每日经济新闻1月10日报道，三星一位高管在受访时表示，三星第一代的3nm制程良率接近完美，第二代3nm芯片技术也迅速展开。