采用22nmFD-SOI工艺制造的WeebitReRAM首次流片

据tetecompaper网1月2日报道，采用22nmFD-SOI工艺制造的WeebitReRAM已经流片（发布到制造）演示芯片，并将其嵌入式电阻式随机访问存储器（ReRAM）模块集成在先进的22nmFD-SOI工艺技术中。

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该芯片可为物联网、边缘人工智能和其他超低功耗应用提供经济高效、可靠的嵌入式NVM行业服务，这是WeebitReRAM在22nm中的首次流片。Weebit与其开发合作伙伴CEA-Leti和CEA-List合作，成功地将其ReRAM技术缩减至22nm。这些团队设计了一个完整的IP内存模块，该模块集成了一个针对22nmFD-SOI工艺的多兆位ReRAM块，可为物联网和边缘AI等连接和超低功耗应用提供出色的性能。

由于嵌入式闪存无法在28nm以下扩展，因此需要新的非易失性存储器（NVM）技术来实现更小的工艺几何形状。采用22nmFD-SOI的WeebitReRAM提供的低功耗、高性价比的嵌入式NVM解决方案，可承受恶劣的环境条件。

（编译：墨书）