在近日加州举行的代工论坛上，三星公布了其芯片制造业务的最新路线图。三星电子晶圆代工事业执行副总裁康文秀表示，公司将在2025年开始大规模量产2nm工艺，2027年则预计投产更先进的1.4nm工艺，后者将主要面向高性能计算和人工智能等应用。

集中资源与台积电抢先进制程的市场

先进制程和传统成熟制程实际并没有明确的界定标准，这是随着制程工艺发展不断变化的过程。但从制程工艺的发展情况来看，一般是以28nm为分水岭，来区分先进制程和传统制程。

半导体工艺发展则出现了两个方向，一个是继续追求先进制程小型化，比如台积电、三星、英特尔、中芯国际，另一个是聚焦特色工艺满足多样化需求，比如华虹半导体、联电、格罗方德、世界先进等。当下的半导体先进制程领域中，三星、英特尔、台积电三足鼎立，各有千秋。

据韩媒报道，三星正计划增加非内存芯片的外包生产，包括显示驱动IC和图像传感器，除既有的晶圆代工伙伴联电外，三星或将新增世界先进、力积电两家台厂协助代工成熟制程芯片。台经院专家表示，当前半导体市况变化比较大，三星扩大成熟制程由台系厂商代工，是考量本身未来成长，以及市况和产业发展变化采取的灵活弹性调度。

专家表示，由于三星增加芯片委外生产主要仍是在成熟制程部分，三星本身则可专注投入先进制程布局，与台积电进行竞争。先进制程在半导体业领先群的竞争还是最重要的焦点。

专家指出，美国对中国大陆半导体采取多项限制措施，预期中国大陆未来会花较多心力发展成熟制程。业界多预估中国大陆成熟制程占全球比重将于2025年攀高，三星委外代工将可避开与中国大陆厂商的竞争。

三星主管表示，正在聘僱具有存储、晶圆代工、系统半导体（System LSI）领域的人员，以便扩大主要事业。

三星1.4nm制程2027年投产

三星的此番表态，无疑直指目前正在攻坚顶尖制程的另两家半导体制造巨头——台积电与英特尔。今年9月，台积电针对此前先进制程的进度表进行了确认，旗下2nm制程芯片预计于2025年量产。同月底，英特尔也首次对外公布，1.8nm制程测试芯片正在设计中，将于年底流片。根据此前规划，英特尔将在2024年下半年同期量产2nm与1.8nm制程芯片。

面对两大对手的竞争宣言，此前在良率上屡屡受挫的三星也终于坐不住了。今年6月底，三星宣布量产3nm工艺，而如果未来1.4nm投产顺利，三星也将成为目前在三足鼎立的先进制程领域里走得最前的厂商。

为了能在2027年顺利实现1.4nm制程的生产，康文秀在此次论坛上表示，三星将在诸多半导体技术上取得飞跃式进展，並且在美国扩大晶圆代工发展。最新信息显示，三星目前正在美国德州开建新工厂，并预计在2024年开始运作，这将为其最新3nm制程提供代工量产资源。

面对三星的来势汹汹，台积电还扛得住吗

台积电迟迟未公布3nm就大规模生产时间，台积电并不打算参与时间竞争。相反，它希望通过超越三星的芯片性能和良率来获得客户的认可。

不过台积电忽略了一个问题，那就是3nm成本变得非常高。苹果想放弃台积电初代3nm的N3工艺计划明年直接使用N3E工艺技术。如果苹果不准备使用台积电N3工艺，那么量产3nm毫无意义。

甚至有消息称，台积电今年考虑放弃量产3nm。毕竟台积电作为OEM，是为客户服务的，客户没有需求，生产线无法运行。

此外，芯片市场产能过剩，许多客户正在削减订单，以减少台积电生产线的投资。最终的结果是台积电独自承担了巨大的工厂建设成本和研发投资，以及三星带来的竞争压力。

从各种角度来看，台积电要承载三星的竞争，需要花费大量的时间和精力。只有尽快实现3nm，2nm等芯片量产，将芯片投入商业占领市场，才能获得资本回报。