三星电子宣布2027年量产1.4纳米芯片

【三星电子宣布2027年量产1.4纳米芯片】财联社10月4日电,据韩联社报道, 三星电子3日宣布于2027年量产1.4纳米工艺的芯片。三星电子当天在美国加州硅谷举办“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”并公布涵盖上述内容的晶圆业务路线图和新技术。在时隔三年线下举行的这场论坛上,三星首次公布1.4纳米芯片量产计划。三星电子主管晶圆代工业务的社长崔时荣表示,将基于下一代晶体管结构全环绕栅极(GAA)技术不断创新工艺,计划2025年引进2纳米芯片制造工艺,2027年引进1.4纳米工艺。

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页面更新:2024-03-02

标签:三星   量产   纳米   栅极   芯片   加州   硅谷   代工   工艺   论坛

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