第一代EUV光刻机的价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机达到4亿美元，当下的光刻机可以说是昂贵至极，因此就有很多企业在相继研发绕过光刻机制造芯片。为的就是降低制造芯片的成本。

先进制程的芯片研发，比如台积电计划量产3nm，但是该工艺不仅性能不达标，而且成本太高，愿意采用该工艺的客户只有Intel和苹果， 可谓是有价无市。

在这种情况下，已经有很多企业开始探索绕开光刻机制造芯片的工艺，比如日本的NIL工艺已投入实际生产，预计NIL工艺至少可以推进到5nm。

同时美国的Zyvex同样推出了无需光刻机就可以制造的工艺，更是做到了比ASML的第二代EUV光刻机制造出来的1.8nm更先进，这让ASML一度处于非常尴尬的境地。

另外，华为也不断开创新的思路制造芯片，目前也给出了三种制造方案。说到这里，我们来回想一下之前，我们国家的学者就参加ASML光刻机时被鄙视的说：“哪怕给你们图纸，你们也造不出光刻机来”。现在简直就是打脸，因为制造芯片光刻机并不是刚需的。

华为给出的三种方案

进行技术叠加

所谓芯片技术叠加，就是将两颗芯片进行上下叠加进行封装。说简单点，就是用面积置换性能。根据华为曝出的专利，此项叠加技术能将14nm芯片的性能提升至7nm。

光电芯片

光刻机的研发不仅难度大，而且投入的成本也高。与其在光刻机上花费过多精力，还不如另辟蹊径。研发光电芯片成了近些年的主流，这种芯片不仅传输速度快，而且承载量比较大。所以也成了未来的一个发展方向。

非美技术生产线

目前国内的90nm光刻机实现重大突破、中芯国际在14nm上实现量产。日本推出了NIL工艺，这说明我们可以不再依赖美技术的生产线。

从2008年的时候开始ASML称霸光刻机市场。这也证明了技术的崛起确实可以成就一家企业，如今技术的大变革，它的衰落也是迅速的。

虽然ASML称霸光刻机市场将近十几年时间，这么长时间ASML也在沉浸在光刻机的研发中。但如今技术变革，光刻机的成本太高，高到很多企业都难以承受的地步。

我国对芯片有着巨大的需求，虽然一直遭到美的限制，但ASML依旧愿意向我国大批量DUV光刻机，这是为何呢？这是因为面临技术的大变革，ASML害怕我国也绕过光刻机制造芯片，面对如此大的市场，ASML害怕丢失自己的地位。但我国近两年芯片技术不断突破，相信未来有一天定能实现芯片自主。只有把核心技术掌握在自己的手中，才能不受限制。