三星电子、SK海力士忧心忡忡！参与美国芯片法案恐带来巨大风险

据韩国媒体Business Korea周五报道，韩国半导体公司日益担心美国本月稍早通过的芯片法案，因为依据规定，一旦申请取得补贴，未来10年不得在包括中国大陆在内的指定地区扩大产能和投资，仅老式（legacy）制程不受此限，但该词定义不明，三星电子和SK海力士无法完全免于风险。

如果美国的禁令仅限于非存储芯片，韩国半导体公司的风险将趋近于零，因为三星电子和SK海力士都没在中国大陆生产非存储体晶片。三星的NAND Flash厂坐落在西安，封测设施在苏州。SK海力士的DRAM和NAND Flash工厂分别在无锡和大连。

如果禁令同时包含存储和非存储芯片，SK海力士会受影响，它的无锡厂量产10纳米晶片DRAM。三星电子的风险相对较低，因为NAND Flash存储芯片以堆叠的层数来计算，不是纳米。

不管哪种情况，这两家韩国半导体公司都无法完全免于风险，因为接受补助后的10年间，投资计划和活动都必须知会美国商务部，而这些多半是业务机密。

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