明年就能生产28纳米光刻机。如果顺利生产28纳米光刻机，中国百分之九十的芯片制造都可以自足。

7纳米5纳米只有用在高端手机上，电脑14纳米都算是非常先进，其他行业48纳米制成的芯片都已经是非常先进了。台积电三星中芯国际不代工，华为干脆暂时放下手机业务，转战别的领域。购买国产48纳米光刻机，足以让华为不被卡脖子。

光刻机难不难确实很难，对企业来说是真难，主要成本控制问题。如果成本控制不再考虑中，光刻机难不难，回答是给几年时间完全能弥补上技术的差距。国家一旦调动各方力量，二三年基本上能接近荷兰ASML厂家的水平。

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【上海微电子已经成功研究了22nm光刻机，这在国内市场到底什么水平】

我们知道现在的上海微电子已经在使用90nm光刻机，这种光刻机和现在市面上的7nm EUV光刻机有很大的差异，虽然我们也知道上海微电子确实是优势的，毕竟在全球光刻机市场只有荷兰、美国、日本，如今我国也拥有“入场券”。

有人说现在的上海微电子已经有了22nm的光刻机工艺，又有人说是28nm工艺的光刻机，这方面确实让我们很诧异，到底上海微电子是28还是22nm？

其实，我们虽然有很多所谓的消息，但是我们知道这些消息大多数是以讹传讹，不可轻信。但是，不可否认的上海微电子确实是我国目前在光刻机领域不可或缺的部分。

在我国虽然有“翻新”光刻机的企业，但是像上海微电子这样的企业几乎没有，从某种程度上，上海微电子确实给了我们很多的启示。

我们也期待在光刻机领域它有所成绩，虽然现在看来，这种成绩还离国际社会的ASML的光刻机有一段距离，但是却不容忽略它的成绩。

至于到底所谓的上海微电子是不是真正的会打造出22nm工艺制程的光刻机，已经不在重要，重要的是我们在迈出了一个重要的步伐。

上海微电子可以制造光刻机不是啥新鲜事，人家从2002年就开始立项研发光刻机了，只是我们技术实在落后，人才又缺乏，因此进展一直比较缓慢。不过，进入2010年后国产研发团队不断攻克光刻机核心子系统的技术南广，未来我国光刻机将会迎来较快的发展，基本上可以从低端跃至中端，然后将向最后的高端领域发起冲击。

1、上海微电子现有情况：目前国内研发光刻机的厂商不少，但属于领先地位的就只有上海微电子，能量产的90nm光刻机，其他厂商只能生产200nm、300nm这样的光刻机，但在全球光刻机领域上海微电子属于低端。

目前，有消息称上海微电子正在研发28nm节点光刻机，但实际情况未知。如果说这台28nm节点的光刻机能研发成功，那么我国芯片生产或将基本解决自主问题。

因为，28nm节点的光刻机不仅仅只能用来生产28nm制程芯片，通过套刻多重曝光可以实现10nm芯片，如果代工厂技术过关，甚至可以实现7nm制程芯片。

这意味着在芯片制造设备领域，我们可以实现较为先进的芯片技术，至于具体能不能生产就看中芯这类代工厂的生产技术了。

2、我国在光刻机领域的水平：全球能做光刻机的厂商其实没几家，除了荷兰ASML，剩下就是日系厂商尼康和佳能，以及我们的上海微电子。

但是从这2年的发展来看，未来这个领域应该只有我们和ASML竞争了。日系厂商基本属于出局状态，这块它们不愿意再进行大量的投资，一句话烧不起这钱。

目前我国对于光刻机基本属于举国体制运作，2009年中科院牵头执行了02专项计划，专门来解决光刻机的问题。光刻机由于整个系统复杂，牵涉技术领域较多，因为各核心子系统均分配给了不同的技术团队和厂商来研发。

截至2020年，我们已经解决了双工件台（下图）、浸液系统、准分子激光光源等核心子系统，基本扫清了光刻机的主要技术难关，这些子系统如果放眼全球，基本上都是全球第二或第三掌握这些技术的厂商。

后续就看上海微电子如今将这些子系统进行整合了，他们只是系统制造商。

另外最先进光刻机使用的EUV光源，我们也正在研发中，按早前的规划似乎要到2030年。

Lscssh科技官观点：综合来说，现阶段我国在光刻机领域正逐步发展中，也取得了一定的成绩，如果小道消息靠谱，那预估5年内我们或许可以有较为先进的光刻机（28nm节点光刻机）。但是，要想真正冲击高端领域，我们还需要花费很长的时间，至少10年起步甚至要更长时间。

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一直认为中国的光刻机之路必将艰辛而漫长，短期肯定看不到希望，原因无外乎三点：一是缺人。优秀的人才要么去硅谷挣美金，要么去大厂当程序员，再或者去金融行业赚快钱了；二是缺钱。这里的缺钱不是指国家不舍得投资，而是半导体行业赚钱难，投资大，回报低，企业很难开出高薪；三就是技术难度大。中国半导体企业起步晚，缺乏工业经验积累，而半导体制造工艺需要的是日积月累，需要攻克无数难关，需要真正的匠人精神。

好了，废话先说到这里，我们来看看国产光刻机的希望-上海微电子现在的进展如何了。

光刻机由无数的高精密部件组成，绝非一家公司可以搞定。我们从几个主要的子项目来了解下。

华卓精科生产的干式和浸没式双工件台样机都已经出货了，但是EMC还存在兼容性问题；

启尔机电的液浸系统进展顺利，已通过国家重大科技专项CDR评审，研发和试生产基地也建设好了；

而最重要的光学系统之前由长春国科精密负责，2018年通过了面向90nm节点的NA0.75级投影光刻曝光光学系统验收。此后，就没了新消息。现在由中科院、上海光机所和长春国科精密一起合作研发，但一直没有动静，情况也不容乐观；

光源系统，之前有公司做出过40w 4kHz 的 ArF 光源样机，但是离最低要求的 60w 6kHz 还差的远呀。

目前国家组织攻关的基于193nm ArF 准分子激光的干式和沉浸式 DUV 光刻机，其单次曝光的分辨率也只有 38 nm.

所以，上海微电子的光刻机之路依然任重而到远。网上经常传出来一些谣言“震惊！我国又攻克xx nm 光刻机技术！”，无非是一些自媒体吸引眼球。退一万步讲，即使真的有，也可能是样机，从样机到真正能上工厂批量生产芯片，并保证良品率，差了个十万八千里啊！

在芯片生产过程当中有一个非常核心的设备那就是光刻机，目前全球高端光刻机基本上都被荷兰ASML一家给垄断了。

而中国国作为全球芯片消费最大的国家之一，目前我国的光刻机制造水平总体相对是较弱的。

目前我国有几家企业可以生产光刻机，分别是上海微电子、合肥芯硕半导体、无锡影速半导体、河北先腾光电科技。

在这几个光刻机生产企业当中，实力最强的是上海微电子，但是他们的光刻机目前真正投入使用的也只有90纳米，这跟ASML已经量产的7纳米仍然有非常大的差距。

而其他几个光刻机制造业他们的技术水平都比较低，目前已经量产的光刻机只有200nm，这些光刻机只能用于生产一些低端的芯片。

而且上海微电子90纳米光刻机在1997年的时候就已经研发成功，但目前已经23年过去了，我国光刻机仍然停留在90纳米的水平。

不过经过多年的努力之后，目前上海微电子在光刻机研发上已经取得了重大突破，前段时间上海微电子已经宣布成功研发出28纳米光刻机，而且预计在2021年底到2022年之间将正式量产。

这种28纳米的光刻机，经过多重曝光之后，除了可以生产28纳米的芯片，还可以用生产14纳米甚至10纳米的芯片，这对于我国芯片制造业来说是一个非常振奋人心的消息。

不过目前芯片更新换代非常快，目前市场已经量产的最先进芯片已经达到5nm，而且3nm米甚至两纳米的芯片生产线还在研究当中，预计未来全球芯片先进制程有可能达到2纳米。

而光刻机每进阶到一个新的水平技术要求难度都会大大增加，特别对于我国来说更是如此。

因为光刻机是一个非常庞大的物体，一个高端光刻机有几万个零部件构成，这些零部件都是行业内最顶尖的水平，有很多光刻机都需要通过反反复复的打磨才能制造出来。

所以目前真正能够以一个国家力量生产光刻机的国家根本就没有，即便了荷兰ASML是全球最先进的光刻机制造商，但是目前他们90%以上的零部件也依靠进口，特别是在镜头、光源等核心技术上更严重依赖德国美国一些企业。

而目前很多西方国家都对我国进行技术封锁，跟光刻机有关的一些核心零部件，他们根本不对我国出口，这也是为什么我国光刻机研发步履维艰的重要原因，因为所有的核心零部件都需要我们自己慢慢摸索慢慢研究，没有现成的东西，更不能直接从外部采购，所以我国光刻机的研发进度非常缓慢。

好在最近几年我国已经意识到了芯片独立自主的重要性，所以也在加大对芯片制造的投入，除了企业本身的科研投入之外，我国还有很多科研院所也在积极研发光刻机。

而且从现实来看，我国有不少机构在光刻机研发上面已经取得了一些突破，比如2018年清华大学研究团队研发出了双工作台光刻机；2019年武汉光电国家研究中心使用远场光学雕刻最小线宽为9纳米的线段，成功研制出9纳米光刻技术；2020年6月，由中国科学院院士彭练毛和张志勇教授组成的碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果，并实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技术的全球领先地位；2020年7月，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所成功研发出了一种新型5nm高精度激光光刻加工方法。

虽然上面我们提到的这些光刻机技术仍然处于实验室阶段，但至少我们在基础理论上已经取得了一些突破，这为光刻机研发提供了重要的技术支撑。

我相信未来在我国科技人员以及企业的共同努力之下，我国迟早会突破光刻机的一些技术瓶颈，进一步缩小跟国际先进水平的差距，从而摆脱对国际光刻机的依赖。

由上海电气(集团)占股42.3%的上海微电子装备公司(SMEE)，是我国唯一生产光刻机的股份制企业，承担着光刻机研发突破重任。其量产的90nm光刻机在我国有80%的市场份额，在半导体设备商中排名第五。

一、上海微电子目前能生产制程28nm工艺节点的光刻机。

上海微电子2020年6月5日宣布：2021年将交付第一台国产的、第二代深紫外光沉浸式DUV光刻机。

证实在DUV光刻机制造层级上，关键的光源曝光计量、透镜精密加工技术，重要的光刻胶、等离子气体等材料，包括调试和维护保养方法，上海微电子已追上荷兰ASML的DUV光刻机水准。

说明上海微电子生产的光刻机分辨率和套刻精度得到跃升，既可满足生产中高端芯片制程需要，也逐渐缩小了与荷兰ASML在DUV光刻机上的差距。

现今世界科技领域逆全球化思潮抬头，让人们充分意识到关键产业自主可控的重要性。上海微电子生产光刻机从90nm进步到28nm、不是简单的数字缩小，它完美地避开了美国的技术、拥有了自主可控制造高端芯片的设备。

既可满足我国绝大部分制程高端芯片的需要，还可通过相模位移、重复曝光、多次蚀刻等技术手段达到7nm芯片制程工艺水平，标志着国产光刻机制造能力的跃升，意义重大。

二、国内离世界最先进的EUV光刻机还有不小差距。

荷兰ASML生产的EUV光刻机，因采用美国的13.5nm极紫外光源、德国蔡司的透镜等许多先进技术和工艺，能制程7nm及以下工艺节点的芯片。而DUV光刻机28nm制程工艺是一个长期的分水岭，即使穷尽技术手段也只能在7nm工艺节点嘎然而止。

世界上能生产光刻机的企业不多，荷兰的ASML、韩国的三星、日本的佳能和尼康，而能生产顶尖极紫外光源EUV光刻机就只有荷兰ASML一家。事实足以证明：上海微电子光刻机制造已跻身世界一流水平。

在制造高端光刻机需使用的光源上，13.5nm极紫外光源与193nm深紫外光源有着技术上的代差，上海微电子必须再接再厉，突破极紫外光源、精密机械加工透镜和零部件、精准曝光和光刻计量等瓶颈，才能更上一层楼。

但这不可能一蹴而就，需逐一攻关解决。而我国在晶圆制备、光刻胶、双工台等方面都已完成突破，具备从DUV向EUV转换的条件。

中芯国际的执行CEO梁孟松博士说过：“有了EUV光刻机，我们就能生产7nm、甚至5nm的高端芯片”。

日前，上海电气(集团)官宣：将推动属下三家企业(上海碾磨特装设备、上海电器陶瓷、上海电气自动化设计研究所)进行混合所有制改革，并承担光刻机的攻关任务。

2021年1月8日，上海电气在上交所主板巨量封涨停，是否“春江水暖”，静待花开或许是有可能的。

说到光刻机，那就是国人的痛处，毕竟被卡脖子的感觉真的太难受了，其实我们在半导体领域被卡脖子的不只是光刻机，半导体产业链里面，我们能够自主掌握技术的不到一半，还有一半要靠外国的先进设备和技术做支撑，认为只要突破光刻机技术就能不受到卡脖子，那其实就有点想的太简单了。

光刻机的确是非常重要的环节，曾经在六十年代的时候，我们的光刻机水平其实并不比欧美的差，在六十年代的时候，我们的机械领域其实也并没有说落后太明显，只是在特殊的十年当中，导致了我们落后，这还只是开始，在八十年代的时候，由于西方先进产品进入国内市场的影响，又导致了我们在八九十年代错过了机会。

这样总共失去三十年的时间，就是因为这样才导致了中间的空白期没办法弥补，就算我们后面这二十年的时间在发力，但是也很难真正的短时间内赶上，毕竟别人也并没有在原地踏步，我们在进步别人也一样在前进，中间还存在着代差，加上原本工业基础的薄弱，才有了现在的这种情况。

目前市场上我们能够自行生产的光刻机精度只有90纳米级别，中芯国际升级的14纳米技术其实并不是我们自己生产的设备，这个就很尴尬了，虽然说上海微电跟科学院联合研发出来了28纳米的光刻机技术，但是这个目前来说也只是在实验室里面的数据，离组装到现实中使用，还不知道要到什么时候。

荷兰的阿麦斯光刻机，已经拥有了5纳米的生产技术，已经正式投产使用，想象一下中间还有14纳米的门槛和7纳米的门槛，现在中芯国际使用的光刻机还是人家的淘汰品，在我们手中现在可是当做宝贝一样，可想而知差距有多大了吧，光刻机技术我们最多现在在第三的位置。

因为荷兰阿麦斯公司的光刻机肯定是金字塔顶端的存在，这个是万国科技结合的产品，在第一的位置实至名归，第二梯队是日本和美国，自身有研制出来14纳米技术的光刻机的实力，这个也是实至名归的，我们现在能自行研发28纳米的技术，算是第三梯队的，这个其实已经很不错了。

毕竟全世界有能力自行研制高精度光刻机的国家一个手掌都能数出来，我们就是其中之一，虽然水平和差一些，但是这也证明了我们自身有这个能力，只是在主要部件上面是不是能实现国产化，这个才是最重要的，不然主要部件用别人的回来组装，会被别国禁止使用，像美国禁止中芯国际一样。

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上海微电子已经成功生产光刻机了么？这个领域国内是什么水平？

题主问题的核心是上海微电子已经成功生产光刻机了吗的？这个领域在国内是什么水平？首先上海微电子可以生产光刻机确实已经不是什么惊天秘密了，因为他早在2002年就有成立了，很多人也许没有听说过，原因实际就在于工艺方面相对落后，所以不被人们所熟知，因为确实相对于现在手机处理器方面的工艺来说，他目前最高可以生产90nm的技术，确实有些不够看，但是在国内确实是顶尖的存在。

国内做光刻机的厂商之前确实有很多，但是大多数还是在130nm甚至280nm左右，而要说发展比较不错，工艺响度较高的就是上海微电子了。而从全球市场来看，中国光刻机工艺不算是落后，也不算是太强。

一方面是因为，确实做光刻机的国家确实不多。之前的市场，荷兰的ASML，以及日本的佳能，尼康等等。ASML的成功源自于他吸收了各个行业的精英，要想使用就要入股，同时他使用的技术，比如计量设备和光源来自美国、镜头和精密仪器来自德国、轴承来自瑞典等等，他们都是行业的翘楚，之所以如此，他才发展到现在的强大。

而日本尼康和佳能，确实也算是佼佼者，因为日本本身做精密电子技术确实很强，再加上光刻机所需要的镜片，以及光源等等，确实对于做相机出身的佳能和尼康来说，并不算是难事，但是现在佳能和尼康已经退出了光刻机市场，原因就在于没有了市场，高不成低不就，虽然不错，但是相比ASML确实有很大差距，所以销量很低，本身光刻机确实每年生产数量有限，再加上设备价格相对比价高，如果没有订单，或者是订单较少，确实就意味着只能淘汰出局。所以说起来现在，做光刻机的国家确实屈指可数。

二方面，也是因为我们刚才说的，现在光刻机市场确实基本上被ASML垄断了，所以竞争者很少。另外一个方面根据最新的报道称，上海微电子28nm工艺即将到来，虽然没有权威的出处，但是对于我们来说也算是增加了信心，毕竟这是一个大的跨越，因为光刻机的研发实际是分为阶段性的，理论上90nm接下来应该是60nm、45nm、40nm，接下来才是28nm，而这次上海微电子直接从90nm到28nm，确实可见其实力。如果28nm研发成功量产的话，确实我们光刻机技术在世界上就算是站稳了脚跟。

光刻机工艺方面确实难度比较大，比如零件甚至达到了10万个左右，同时需要系统协同工作，但是最重要的几个方面，我们已经慢慢在解决，比如这次28nm工艺的背后实际就是我们的企业，有北京科益虹的光源系统、国望光学的镜头、华卓精科的浸入式双工作台、浙江启尔机电的浸液系统等等。

我们现在顶级的差距还是比较大的。现在ASML最高可以生产5nm工艺，而且产品方面，比如苹果12上面的A14处理器，以及华为麒麟处理器9000系列都是5nm工艺，而我上海微电子即便是28nm开始量产，之后还是有很长的路要走，比如16nm/14nm，10nm，以及7nm，以及包括EUV极紫外刻技术目前来说确实也很难去解决。

总结和观点：

首先我国可以声场光刻机已经是很早之前的事情了，只是因为工艺方面的差距，所以并不能用在，我们日常使用的电子产品中。另外一个方面在于本身光刻机技术方面确实要求极高，同时因为《瓦森纳协定》中规定高端设备或尖端技术对我国进行出口管控或技术封锁，导致我们只能进行自研发，所以和ASML相差有点大，

回答完毕

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已知，上海微电子是负责整机集成、生产的，不过呢，在关键部件的供应渠道上却跟荷兰的ASML、日本的尼康以及佳能大不一样，这与衡量我们国内光刻机在世界上“是什么水平”有关！

作为国内最强光刻机生产厂的上海微电子与其“国内配套厂”合力生产出的90纳米光刻机代表了我们国内目前在世界上的水平。上海微电子在2016年已经生产出可量产的低端光刻机，占有了国内80%的市场份额，这便是我们国内现有的实际水平，远远低于荷兰与其“配套国”已经达到的5纳米水平，其EUV光刻机自2017年生产出以来已经出售100台；距离日本的水平也挺远，据报道，曾经的全球第一、现在的日本第一光刻机制造商尼康与其“国内外配套厂”已经生产出38纳米以下DUV光刻机，可制造工艺制程不超过7纳米的芯片，另有报道说在2014年就已经生产出28纳米光刻机，尼康不止用到了美国和德国的技术。

据报道上海微电子与其“国内配套厂”即将生产出国内第一台28纳米沉浸式光刻机。已经通过了技术检测和认证，将在今年到明年之间生产出可量产的中端光刻机整机，相信是真的！距合力生产出90纳米国产光刻机的2016年已达到6个或将达到7个年头嘛，而一旦生产出，就一定能满足国内芯片生产的绝大部分需求，且不说也可生产出一定数量的7纳米芯片良品。自然，这样的水平还是低于荷兰的ASML与其国外配套厂，使得我们国内的水平仍然远低于荷兰与其配套国；而又有报道说尼康在2020年出货了11台能制作14纳米芯片的光刻机，如果属实（我倒是并不相信），就表明我们国内的水平在今后不止一两年的时间里还是低于日本，尽管已经接近。

多年以来人们是在拿我们国家一国跟荷兰+多国、日本+多国“比水平”！“一国造”跟“多国造的光刻机固然是可比水平的，分得出高中低，并且，我们国家的一国造确实还比不过多国造，无论整机还是关键部件，中国都只是已经达到低端水平、即将达到中端水平，比不过站上高端的荷兰与其配套国，也比不上日本与其配套国所达到的中端水平；我们国家要达到整机和关键部件分别比得上，都更费时日，只因为越发只能主要依靠一国之力。然而，毕竟在集成生产整机上，世界上只有 2 个国家才可比我们国家；毕竟在关键部件研发和生产以及供应上，世界上没有几个国家才可比我们国家，重要的是，那 2 个国家跟我们国家在关键部件研发和生产以及供应上具有不可比性，那几个国家跟我们国家在整机集成生产上具有不可比性，而照此发展下去，当上海微电子集成生产出EUV光刻机、国内配套厂研发生产出并供应上高端关键部件，世界上会有哪个国家可比我们国家？不必怀疑，我们国内迟早必定达到这个水平！

全球半导体前道光刻机长期由ASML、佳能、尼康三家公司所垄断，三家公司占据了99%的市场份额。ASML市场份额常年高达60%以上，呈现霸主垄断地位，ASML已经完全地垄断了超高端光刻机领域，而佳能则完全退出高端市场，凭借价格优势盘踞在中低端市场。

上海微电子（SMEE）成立于2002年，其主产品SSX600系列步进扫描投影光刻机满足90nm、110nm、280nm芯片前道光刻工艺的要求，可以用于8英尺、12英尺大规模工业生产。毫无疑问上海微电子早已经能够生产光刻机，相比较于1984年4月成立的ASML，上海微电子疑问是芯片制造光刻机领域的后起之秀，经过20余年的发展逐渐缩小了和光刻巨头之间的差距，上海微电子在全球后道封测光刻机领域高达40%的占有率。

上海微电在前道光刻机领域仅能提供低端光刻机

光刻原理其实特别简单，就跟我们在沙滩上晒太阳一样，光线能直接照射到的地方皮肤就会呈现黝黑的颜色，而被遮挡的地方皮肤就会呈现白皙的颜色。早期的光刻机其实和照相机显影技术并无二致，所以也就能理解为什么做照相机的佳能和尼康为什么会闯入光刻机领域。

基于光刻机的原理很简单，早期的芯片工艺制程水平也并不高，所以我国大致是在1965年前后拥有光刻机。1445所在1977年就研制成功了一台接触式光刻机GK-3。接触式光刻就是直接将掩膜直接贴到硅片上用灯光照射，这种工艺最难的地方在于要在底片上刻出1微米分辨率的线条，而光照并不是太大的难题。这么说想必大家要翘尾巴了，要知道西方在1978年就已经推出了成熟的分布投影光刻机了。拜读过《朱煜：精密事业》就知道我们的半导体工业为什么会落后别人一大截，国情使然，这里就不再大篇幅陈述。

如今的半导体产业已经成为了一个全球性的巨大产业链条，我们已经完全有能力生产7nm甚至更低nm的芯片，关键在于我们的材料和设备受制于人，高端光刻设备对于光学技术和供应链要求极高，拥有极高的技术壁垒，是全球产业链整合出来的产品，比如ASML光刻机的光源来自美国、镜头来自德国、阀件来自法国，这些不是有钱就能买得到的，因为欧美国家对我们实施了技术封锁。

光刻机的市场需求并不高

ASML的EUV光刻机拥有10万个主要部件，镜子都需要数月才能打磨到理想的平滑度，运输是需要41辆超大型卡车，所以ASML每年仅能生产百来台，所以也就能理解尼康和佳能逐渐势弱。

光刻机不开张则已，一开张就能吃好几年。ASML在研发费用方面长期处于行业领先地位，研发费用占到了总销售额的20%左右。ASML也拥有大量的现金，所以研发并不会受到经济周期的影响。

这些都得益于ASML独特的公司股权架构，只有注资ASML公司成为股东之一才能够获得优先供货权，毫无疑问英特尔、三星、台积电都是ASML的股东，如今的ASML已经成为不折不扣的美系资金企业。

上海微电子也并没有那么悲观

鲲鹏有鲲鹏的活法，蚍蜉有蚍蜉的活法。当国外巨头都在耻笑上海微电子有近二十年的代差，几十上百年都很难追上，谁又规定了蚍蜉不能一路打怪升级呢？当一种技术封锁上升到国家层面时，举国之力发展半导体产业自有生态离成功并非难事，日本、韩国的半导体产业就是这样发展起来的。

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