三星公开生产规划，2026年可能是见到三星2nm工艺产品上市

在代工生产销售市场上，仅有能够和台积电对抗的，便是三星了(Intel高调杀入但还需更进一步留意)，彼此在先进工艺进展上也是互不相让，7nm、5nm、3nm、2nm力争上游。

在全新举行的三星代工生产论坛2021大会上，三星就泄露了全新的加工工艺进展和路线地图。

FinFET晶体管构造发展潜力基本上早已被挖掘殆尽，三星的下一阶段是GAA围绕栅极，3nm加工工艺上分成两个版本，在其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初大批量生产。

相比5nm，三星新的3nmGAA能够让面积变小35％，同功能损耗下特性提升30％，同特性下功能损耗减少50％。

2nm加工工艺并没有发生在公开路线地图上，可是三星代工生产市场策略高级副总裁MoonSooKang泄露，2GAP加工工艺会在2025年批量生产。

这也是三星初次泄露2nm加工工艺的整体规划，但三星也提醒说，新工艺进展还需要看客户的整体规划和部署，因此我们推测，2026年可能是看到三星2nm加工工艺产品上市的更合理时间。

台积电这方面的2nm加工工艺有望在2024年批量生产，技术领先三星一年左右。