文｜黑科技小喇叭 原创

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全球5nm芯片才刚刚投入应用，3nm芯片设计却已经逐渐成熟，不禁让人感叹半导体制造格的格局变化之快。

近日，美国IBM又传来了一个好消息，表示它们已经攻破了2nm芯片设计，同时还与台积电制造的5nm和7nm芯片在性能方面做了详细对比。

根据IBM提供的数据显示，这款2nm芯片的晶体管密度约为5nm芯片的两倍，并且在相同的功耗下，性能比7nm芯片高出45%，反过来，如果与7nm芯片采用相同性能的话，那么这款2nm芯片的功耗会降低75%，既然这款2nm芯片各方面都表现得如此突出，量产时间肯定值得关注。

2nm芯片量产时间确定

近年来，IBM几乎不插手芯片设计，可2nm芯片一出，IBM真可谓是不鸣则已一鸣惊人。我们都知道，芯片设计和制造是明明白白的两码事，通常来说，芯片制造的难度远远大于芯片设计。以华为海思为例，麒麟芯片属于华为自主研发设计，从7nm到5nm，再到如今的3nm，华为的芯片设计都非常成功，但是至今无法实现自主生产。

同样，IBM也没有独立进行芯片制造的能力，但从这次2nm芯片设计的技术构思来看，IBM在芯片设计领域却走在了世界前端。根据知情人士透露，IBM设计的2nm芯片采用了GAA环绕栅极晶体管技术，并首次结合底介电隔离通道技术，将栅长提升到了12nm，从而大大降低了纳米片的研发难度。

既然2nm芯片设计出来了，那什么时候可以量产呢？这也是绝大多数半导体发烧友关注的问题。根据IBM相关人员表示，这种2nm芯片将在2024年底投入生产。照这个时间计算，也就是还有三年左右的时间。

众所周知，目前全世界芯片制造最先进的企业无非就是台积电和三星，而它们目前在3nm芯片制造领域依然没有十足的把握，并还处于不断调试之中，要求它们用三年的时间要实现2nm芯片量产，这也许还真是一个巨大的挑战。

另外，硅基芯片的极限精度为1nm，而2nm已经在无限接近，一旦高精度芯片的发展不再有进步空间，这对手机制造商来说，将是一个巨大的挑战。我们心里都清楚，每一代手机的更新，芯片性能提升是最大的惊喜，当芯片性能不再有进步空间的时候，“挤牙膏”式的创新也许再次重现。

无论如何，对于芯片产业来说，技术突破都应该被视为喜讯，至于未来硅基芯片将如何持续发展，当下也只能静观其变。

中国“芯”急需加速

自从华为的芯片制造遭到美国的技术封锁后，中国在芯片制造领域的布局开始站上舞台中央，根据我国下一个五年计划规定，国产芯片自主率力争达到75%，并且芯片制造技术要取得重要突破，也就是在2025年之前，以上目标均要得到兑现。

目前，我国已经实现28nm的芯片自主制造，并且芯片设计已经突破3nm，更关键的是，中芯国际也即将借助向ASML购买的光刻机进行7nm芯片生产。

另外，还有一个好消息是，台积电将计划在南京建厂，虽然这在很多人觉得这将会对中芯国际的发展造成影响，但是，台积电赴大陆设厂，同时也会带来生产技术，这是一个契机，同时也是一种机遇。

对于IBM公布的2nm芯片量产时间，您认为能够如期而至吗？关注作者，了解更多精彩资讯！