中国芯片制造设备再突破，全谱系国产化，外媒：这也太快了

我们都知道，芯片现在越来越重要了，尤其是对于当下来说，很多行业都出现芯片供应不足的问题，例如汽车行业，很多汽车巨头都因为缺少芯片减少了产量，甚至为了生产减少了对芯片的使用，这显然会降低车型的竞争力。

然而随着大家对芯片认知的不断提升，芯片制造设备也逐渐进入大家的视野，成为大家茶余饭后的一个谈资，而说到芯片的制造设备，可能大家最为熟悉的就是光刻机了。

诚然，光刻机是芯片制造设备中的关键一环，因为其设备制造的复杂度要更高，例如就拿EUV光刻机来说，只有ASML一家可以生产制造。

之前ASML也曾经透露，同样作为光刻机制造大厂的佳能和尼康，不是没有能力去研发EUV光刻机，而是这两家觉得EUV光刻机太复杂了，所以算是主动放弃了这个市场，或者说是暂时放弃了。

虽然光刻机很重要，但是一款芯片被制造出来，却并不是只有光刻机就能完成的，实际上，一个芯片制造的生产线，需要很多种不同类型的设备互相协调配合，完成各个不同的制造步骤，才能做好芯片制造这个精密的生产。

其中之一就是一个叫做“离子注入机”的设备，熟悉晶体管诞生历程的朋友都知道，晶体管的关键原理就是PN节，其中需要对半导体进行掺杂工艺，目的是改变电子的流动，而离子注入机就是要完成这样的关键一步，实际上，离子注入机也是集成电路制造前工序中的关键设备。

根据媒体报道称，中国电子科技集团有限公司正式宣布，已经攻破了一系列卡脖子技术，将离子注入机的全谱系实现了国产化，包括中束流、大束流、高能、特种应用及第三代半导体等离子注入机，工艺段已经覆盖到了28纳米。

说到28纳米，很多人其实有一个误解，认为现在最先进的制造工艺都是5纳米了，但是需要指出的是，真正在使用5纳米、7纳米这些先进工艺的芯片其实很少，大多数的芯片依然还是使用28纳米以及以上工艺的芯片，例如90纳米、150纳米、180纳米等。

因此这次离子注入机在28纳米上实现了全谱系的国产化，可以说算是一个里程碑事件，因为如果从工艺上来看，28纳米其实就是先进工艺和成熟工艺的一个分水岭，这标志着我国的离子注入机也开始迈向了先进工艺。

所以就有外媒表示，这样的速度也太快了，虽然距离5纳米等工艺还是一些差距，但是一旦我们在28纳米关键节点实现全部设备国产化，那么我们的大部分芯片就实现了制造国产化。

之前就有消息称，在光刻机上，中微半导体就有望在今年实现28纳米的设备量产，因此总的来看，实现28纳米全部国产化的目标已经不远了，我们拭目以待。