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芯片之痛

“芯片之痛”在最近两年里是体现最明显的，首先是2018年中兴危机的爆发，让我国科技企业明白了在核心半导体业务上自主研发的重要性。

其次2019年到2020年，美国针对我国华为接连发布的芯片禁令，让我国越发的明白，只有在半导体芯片领域拥有足够的技术，才能够在任何时候都不受制于人，才不会在半导体领域留有短板。

而当下在我国多家半导体芯片企业联合发展下，我国的芯片发展之路也取得了长足的进步，首先在工艺制程上，随着上海微电子公司研发出28nm光刻机，我国在芯片制程方面也迎来了一次飞跃。

根据11月2日金融时报报道的消息显示，华为计划在上海建立芯片生产工厂，而起始工艺就是45nm，计划在2021年实现28nm，2022年之前实现20nm，并且需要注意的是，在这些芯片生产工艺中是完全不包含美国技术的。

7nm工艺的突破

虽然现阶段相较于全球顶尖的7nm和5nm芯片制程还有一段距离，但是现在芯片生态发展的框架已经搭建起来了，接下来只需要在高精度光刻机和光刻胶等方面做出突破，我国将很快进入到芯片强国之列。

并且，根据12月4日消息显示，关于7nm芯片制程的发展方面，中国企业中芯国际也做出了正式官宣，中芯国际表示，其第二代FinFET已经进入小量试产阶段。

而根据中芯国际官方介绍，第二代FinFET工艺相较于第一代的FinFET 14nm工艺，性能提升20%，功耗降低57%，根据中芯国际联合CEO梁孟松的介绍，该工艺和7nm工艺非常接近，并且不需要EUV光刻机的参与。

此消息一出，也就意味着，我国的芯片工艺已经逐渐的接近了国际一线水准，并且还是在不使用EUV光刻机的情况之下，如果再配合上EUV光刻机的话，相信基于中芯国际第二代FinFET工艺生产出来的芯片，在制程上大概率会超越三星和台积电的7nm工艺。

美国万没想到

而中芯国际能够取得这样的突破性成绩，相信美国是万没想到的，因为这一切来的是这么的快。

要知道美国为了阻止我国芯片制造工艺的突破，在2018年中芯国际花费重金从荷兰ASML公司购入EUV光刻机之时，可是遭遇到了美国的重重阻拦，也正是因为美国的阻拦，致使中芯国际到现在都还没有能够获得一台EUV光刻机。

但是，偏偏是在这种艰苦的困境之下，中芯国际还是利用自身的力量，突破了7nm制程的工艺技术，不得不说中芯国际真的是厉害了。

而在这种艰难之下打磨技术，修炼内功，等到硬件环境被营造出来之后，中芯国际打造出来的芯片产品，在技术规格上一定会再次攀升。

总结

当下中科院已经开始了高精度EUV光刻机的技术攻克，而华为公司也在积极努力完成对于EDA芯片设计软件的研发，中芯国际的芯片制程工艺也在不断升级突破。

整体看来，我国芯片生态的发展之路正有条不紊地进行着，接下来只需要等待各项技术的突破，我国将能够在非常短的时间里，补齐半导体领域的“短板”。

你觉得我国自主设计制造的不含美国技术的芯片，需要多久才能够达到7nm呢？

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